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Sensofar S neox:從納米到毫米全尺度覆蓋

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Sensofar S neox:從納米到毫米全尺度覆蓋
當集成電路線寬逼近物理極限,當仿生材料需要解析微米級孔隙結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)測量設(shè)備因技術(shù)單一性逐漸暴露局限。Sensofar S neox通過“四維協(xié)同測量矩陣"技術(shù),重新定義了復雜表面形貌的測量邏輯。

產(chǎn)品型號:
更新時間:2025-09-15
廠商性質(zhì):代理商
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Sensofar S neox:從納米到毫米全尺度覆蓋

當集成電路線寬逼近物理極限,當仿生材料需要解析微米級孔隙結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)測量設(shè)備因技術(shù)單一性逐漸暴露局限。Sensofar S neox通過“四維協(xié)同測量矩陣"技術(shù),重新定義了復雜表面形貌的測量邏輯。

四維測量矩陣:技術(shù)適配場景化

S neox的四大技術(shù)模式對應不同測量需求:動態(tài)共焦掃描模式專為陡坡/多孔材料設(shè)計,如骨植入物的86°傾角表面;白光干涉場重建模式適用于亞納米級超光滑表面,如光學鏡片的平整度檢測;相移干涉解析模式可實現(xiàn)0.1nm縱向分辨率,用于薄膜厚度測量;AI智能景深融合模式則能單次掃描深度達8mm,覆蓋毫米級粗糙度樣品。在特斯拉超級工廠,S neox每分鐘完成30個電池極片的涂層厚度檢測,其三波長干涉技術(shù)同步獲取表面形貌、膜厚分布與材料折射率數(shù)據(jù),效率較傳統(tǒng)設(shè)備提升20倍。

硬件設(shè)計:耐用性與靈活性平衡

設(shè)備主體采用剛性結(jié)構(gòu)與高導熱材料,減少環(huán)境溫度波動對測量的影響。其LED光源系統(tǒng)支持波長靈活選擇,例如在半導體檢測中選用532nm綠光可提高高反射率焊球的對比度,而在生物樣本測量中切換至635nm紅光則能減少光毒性。物鏡組包含長焦鏡頭與水鏡選項,前者適用于深孔結(jié)構(gòu)測量,后者則滿足液體環(huán)境下的原位觀測需求。

參數(shù)詳解與型號對比

基礎(chǔ)款S neox的Z軸測量范圍為0.1nm-34mm,XY平臺重復定位精度達±0.1μm;五軸款在此基礎(chǔ)上增加高溫原位測量艙(最高800℃),適用于金屬3D打印件的熱應力分析。兩款型號均配備SensoAI云智庫,內(nèi)置200+種材料數(shù)據(jù)庫,用戶上傳樣品圖像后,系統(tǒng)可智能推薦測量模式組合與鏡頭參數(shù)配置方案。例如,在檢測碳化硅基晶圓時,云智庫會建議優(yōu)先使用白光干涉模式,并自動調(diào)整照明亮度至80%以避免過曝。

典型應用案例

哈佛大學材料實驗室曾利用S neox解析量子點薄膜的原子級堆疊結(jié)構(gòu)。研究人員通過相移干涉模式發(fā)現(xiàn),傳統(tǒng)SEM觀察會導致量子點遷移,而S neox的非接觸式測量則完整保留了薄膜的初始形貌。操作流程中,用戶需先在SensoSCAN軟件中定義掃描區(qū)域為10mm×10mm,選擇20×干涉物鏡,再啟用AI焦點預測算法自動規(guī)劃路徑,最終生成的三維模型可清晰顯示單層量子點的0.3nm厚度變化。


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